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低压MOS
MOSFET   8205 SOT23-6
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MOSFET 8205 SOT23-6

它采用[敏感词]的沟槽处理技术来实现高细胞密度,并通过高重复雪崩额定值降低导通电阻。这些特点结合起来,使这种设计非常高效和可靠的设备,用于电池保护,电源开关应用和各种各样的其他应用

热线电话:15307699242

产品详情
特点和优点:
➢ 先进的沟槽MOSFET工艺技术
➢ 专为电池保护、负载切换、通用电源管理而设计
➢ 开关速度快,反向恢复快
➢ 使用温度150℃

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